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STP9NM60N |
TO-220-3 | STMicroelectronics | 1644 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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STP9NM60N参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：745 毫欧 @ 3.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：452pF @ 50V 功率 - 最大值：70W 安装类型：通孔 |
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热门型号： TVS - 二极管CPDQR12V0U-HF 铝电容器ESRD330M08B D-Sub，D 形160-067-010RB33 芯片电阻 - 表面RC0805JR-07110KL 芯片电阻 - 表面RT0402FRE0714R3L 配件ENC20000 圆形 - 外壳ACT96WF32BN-3025 RFID 读取模块DLP-RFID1-OG 单二极管/齐纳CZRB3008-G D-SubDCMAMYT37S |
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